隨著5G NR通訊進入深度覆蓋期，5G微站崛起正當時。5G相對于4G在頻率和帶寬上都有較大的提高，在給客戶帶來更高速、更流暢的服務同時也面臨著更大的傳輸損耗和更差的穿透。運營商會根據用戶覆蓋和網絡優(yōu)化的需求，采用宏基站+微基站的方式實現(xiàn)更低成本和更好體驗的5G網絡架構。在5G時代，宏基站與微基站的建設都非常重要。據相關的資料顯示，國內5G建設期間至少需求1000萬個5G微站。

英嘉通半導體響應國家5G新基建的號召，為5G新動能賦能。剛剛完成了首款應用于5G微站射頻PA芯片。產品采用了Doherty結構，兼顧高效率和高線性度，并有較強的系統(tǒng)穩(wěn)定性和抗干擾能力。產品可適用于使用DPD(數字預失真)的微基站系統(tǒng)。采用了優(yōu)化的LGA5*5mm封裝結構。

該產品覆蓋3.3-3.6Ghz，采用成熟的GaAs HBT工藝，通過LGA封裝，已經實現(xiàn)了50歐姆的輸入和輸出匹配，支持5G Bands 22, 42, n77, and n78，支持100MHz高帶寬。主要的指標如下：

該產品已經完全達到了國外競品的水平。英嘉通充分利用國產化的產業(yè)鏈資源，將繼續(xù)打造具有完全自主知識產權的射頻PA芯片，后續(xù)英嘉通還會陸續(xù)推出其他頻段的產品，形成系列化的國產替代。